特色
- 高侧n沟道MOSFET的输入电压高达60V
- 高达13.5V的逻辑输入,与电源电压无关
- 2A峰值源和漏电流
- 12ns传播延迟
- 驱动1000pF电容时6ns的上升和下降时间
- 低输入电容
- 低压侧和高压侧欠压保护
- 允许LED驱动器和DC-DC转换器的Buck-Boost拓扑接地
- 允许多串LED驱动器的Buck-Boost拓扑
- 6针SOT23封装
应用
- 用于单串和多串的HB LED驱动器
- DC-DC转换器的高端驱动器(Buck、Buck-Boost、半桥、全桥)
- LED背光驱动器
起订量: 2500
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
5+ | 3.82231 | 19.11155 |
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