特色
- 驱动高低侧的两个N沟道MOSFET
- 用于高端栅极驱动的集成自举二极管
- 自举电源电压范围高达180V
- 4A源,4A汇输出电流能力
- 驱动1nF负载,典型上升/下降时间为8ns/7 ns
- 宽电源电压范围8.5V至20V
- 快速传播延迟时间(典型值20 ns)
- 2 ns延迟匹配(典型)
- 驱动电压欠压锁定(UVLO)保护
- 工作结温度范围-40°C至140°C
应用
- 降压式变换器
- 隔离电源
- D级音频放大器
- 两个开关和有源钳位正激转换器
- 太阳能优化器
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 17.67267 | 17.67267 |
10+ | 15.86919 | 158.69194 |
25+ | 14.97252 | 374.31307 |
100+ | 12.75547 | 1275.54710 |
250+ | 11.97685 | 2994.21475 |
500+ | 10.47975 | 5239.87600 |
1000+ | 9.88655 | 9886.55900 |
2500+ | 9.88655 | 24716.39750 |
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