ADG1221/ADG1222/ADG1223是单片互补金属氧化物半导体（CMOS）器件，包含四个基于iCMOS（工业CMOS）工艺设计的独立可选开关。iCMOS是一种结合高压CMOS和双极技术的模块化制造工艺。它能够开发出一系列高性能模拟IC，能够33 V操作，占地面积是上一代高压部件无法实现的。与使用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iCMOS组件可以耐受高电源电压，同时提供更高的性能、显著降低的功耗和更小的封装尺寸。
这些开关的超低电容和极低电荷注入使其成为数据采集和采样保持应用的理想解决方案，在这些应用中需要低故障和快速稳定。图2显示了在器件的整个信号范围内存在最小电荷注入。
ADG1221/ADG1222/ADG1223包含两个独立的单极/单掷（SPST）开关。ADG1221和ADG1222BRMZ的不同之处仅在于数字控制逻辑被反相。ADG1221开关在适当控制输入上逻辑1打开，ADG1222需要逻辑0。ADG1223有一个开关，其数字控制逻辑与ADG1221相似；逻辑在另一个开关上反转。ADG1223具有用于多路复用器应用的先断后合开关动作。每一个开关在接通时在两个方向上都传导良好，并且具有延伸到电源的输入信号范围。在关闭状态下，高达电源的信号电平被阻断。
特色
- 在整个信号范围内<0.5 pC电荷注入
- 关断电容：2 pF
- 关闭泄漏：2 pA
- 电源范围：33 V
- 导通电阻：120Ω
- 在±15 V、+12 V时完全指定
- 无需VL供应
- 3 V逻辑兼容输入
- 铁路对铁路运营
- 10导联MSOP封装
应用
- 自动测试设备
- 数据采集系统
- 电池供电系统
- 取样和保持系统
- 音频信号路由
- 视频信号路由
- 通信系统
（图片：引出线）
