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NCP81075MNTXG

  • 描述:闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 高端或低端 通道类型: 独立的 电源电压: 8.5V ~ 20V 供应商设备包装: 8-DFN (4x4) 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 19.26611 19.26611
10+ 17.29604 172.96045
25+ 16.31390 407.84770
100+ 13.89984 1389.98490
250+ 13.05170 3262.92650
500+ 11.42031 5710.15750
1000+ 10.77381 10773.81400
4000+ 10.77381 43095.25600
  • 库存: 0
  • 单价: ¥19.26611
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥19.27
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 通道类型 独立的
  • 驱动器数量 two
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) 4A,4A
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 输入类别 非反相
  • 闸门类型 N通道MOSFET
  • 工作温度 -40摄氏度~140摄氏度(TJ)
  • 高侧最大电压 (自举) 200伏
  • 驱动器配置 高端或低端
  • 上升/下降时长(典型值) 8ns, 7ns
  • 逻辑电压-VIL、VIH 0.8伏、2.7伏
  • 包装/外壳 8-VDFN Exposed Pad
  • 电源电压 8.5V ~ 20V
  • 供应商设备包装 8-DFN (4x4)

NCP81075MNTXG 产品详情

NCP810075MNTXG是一种高性能双mosfet(高侧和低侧)栅极驱动IC,专为高电压、高速驱动mosfet而设计,工作电压敢达180V。NCP810075MNTXG集成了一个驱动器IC和一个自举二极管,提供高达4A的驱动能力。高侧和低侧驱动器独立控制,具有3.5ns的匹配典型传播延迟。该驱动器非常适合用于高压降压应用、隔离电源、2个开关和有源钳位正激转换器。该设备还可用于太阳能优化器和太阳能逆变器应用。该部件采用SO8、8引脚DFN和10引脚DFN封装,完全指定范围为-40℃至140℃。

特色

  • 驱动高低侧的两个N沟道MOSFET
  • 用于高端栅极驱动的集成自举二极管
  • 自举电源电压范围高达180V
  • 4A源,4A汇输出电流能力
  • 驱动1nF负载,典型上升/下降时间为8ns/7 ns
  • 宽电源电压范围8.5V至20V
  • 快速传播延迟时间(典型值20 ns)
  • 2 ns延迟匹配(典型)
  • 驱动电压欠压锁定(UVLO)保护
  • 工作结温度范围-40°C至140°C

应用

  • 降压式变换器
  • 隔离电源
  • D级音频放大器
  • 两个开关和有源钳位正激转换器
  • 太阳能优化器
NCP81075MNTXG所属分类:栅极驱动器,NCP81075MNTXG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NCP81075MNTXG价格参考¥19.266114,你可以下载 NCP81075MNTXG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NCP81075MNTXG规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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