特色
- 驱动高低侧的两个N沟道MOSFET
- 用于高端栅极驱动的集成自举二极管
- 自举电源电压范围高达180V
- 4A源,4A汇输出电流能力
- 驱动1nF负载,典型上升/下降时间为8ns/7 ns
- 宽电源电压范围8.5V至20V
- 快速传播延迟时间(典型值20 ns)
- 2 ns延迟匹配(典型)
- 驱动电压欠压锁定(UVLO)保护
- 工作结温度范围-40°C至140°C
应用
- 降压式变换器
- 隔离电源
- D级音频放大器
- 两个开关和有源钳位正激转换器
- 太阳能优化器
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 19.26611 | 19.26611 |
10+ | 17.29604 | 172.96045 |
25+ | 16.31390 | 407.84770 |
100+ | 13.89984 | 1389.98490 |
250+ | 13.05170 | 3262.92650 |
500+ | 11.42031 | 5710.15750 |
1000+ | 10.77381 | 10773.81400 |
4000+ | 10.77381 | 43095.25600 |
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