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IR2105S

  • 描述:闸门类型: IGBT,N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 同步的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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规格参数

  • 驱动器数量 two
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 输入类别 非反相
  • 驱动器配置 半桥
  • 通道类型 同步的
  • 闸门类型 IGBT,N通道MOSFET
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 电源电压 10伏~20伏
  • 部件状态 过时的
  • 高侧最大电压 (自举) 600 V
  • 逻辑电压-VIL、VIH 0.8伏、3伏
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) 210毫安, 360毫安
  • 上升/下降时长(典型值) 100ns、50ns

IR2105S 产品详情

描述
IR2105是一种高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相关的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTL输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计用于最小化驱动器交叉传导。浮动沟道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT,其工作电压为10至600伏。
特征
•为引导操作设计的浮动通道
完全运行至+60V
耐受负瞬态电压
dV/dt免疫
•栅极驱动电源范围为10至20V
•欠压锁定
•5V施密特触发输入逻辑
•交叉传导预防逻辑
•内部设置死区时间
•高压侧输出与输入同相
•匹配两个信道的传播延迟


(图片:引出线)


IR2105S所属分类:栅极驱动器,IR2105S 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IR2105S价格参考¥16.731099,你可以下载 IR2105S中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IR2105S规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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