描述
IR2105是一种高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相关的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTL输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计用于最小化驱动器交叉传导。浮动沟道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT,其工作电压为10至600伏。
特征
•为引导操作设计的浮动通道
完全运行至+60V
耐受负瞬态电压
dV/dt免疫
•栅极驱动电源范围为10至20V
•欠压锁定
•5V施密特触发输入逻辑
•交叉传导预防逻辑
•内部设置死区时间
•高压侧输出与输入同相
•匹配两个信道的传播延迟
(图片:引出线)