特色
- 驱动高低侧的两个N沟道MOSFET
- 用于高端栅极驱动的集成自举二极管
- 自举电源电压范围高达180V
- 0.5A源极,0.8A汇极输出电流能力
- 驱动1nF负载,典型上升/下降时间为19ns/17ns
- 宽电源电压范围5.5V至20V
- 2 ns延迟匹配(典型)
- 驱动电压欠压锁定(UVLO)保护
- 工作结温度范围-40°C至140°C
应用
- 降压式变换器
- 隔离电源
- D级音频放大器
- 两个开关和有源钳位正激转换器
- 电动机
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 11.66106 | 11.66106 |
10+ | 10.42977 | 104.29776 |
25+ | 9.89959 | 247.48990 |
100+ | 8.13160 | 813.16040 |
250+ | 7.60127 | 1900.31975 |
500+ | 6.71735 | 3358.67750 |
1000+ | 5.83690 | 5836.90800 |
2500+ | 5.83690 | 14592.27000 |
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