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NCP81080DR2G

  • 描述:闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 同步的 电源电压: 5.5V ~ 20V 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 11.66106 11.66106
10+ 10.42977 104.29776
25+ 9.89959 247.48990
100+ 8.13160 813.16040
250+ 7.60127 1900.31975
500+ 6.71735 3358.67750
1000+ 5.83690 5836.90800
2500+ 5.83690 14592.27000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥11.66107
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥11.66
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 驱动器数量 two
  • 高侧最大电压 (自举) -
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 驱动器配置 半桥
  • 通道类型 同步的
  • 闸门类型 N通道MOSFET
  • 工作温度 -40摄氏度~140摄氏度(TJ)
  • 输入类别 晶体管-晶体管逻辑电路
  • 电源电压 5.5V ~ 20V
  • 逻辑电压-VIL、VIH 1.2伏、1.8伏
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) 500毫安, 800毫安
  • 上升/下降时长(典型值) 19ns, 17ns

NCP81080DR2G 产品详情

NCP80180DR2G是一种高性能双mosfet(高侧和低侧)栅极驱动IC,设计用于驱动工作电压高达180 V的mosfet。NCP80180DR2G集成了驱动器IC和自举二极管,并提供0.5A源/0.8A宿驱动能力。集成了防交叉传导电路,以防止穿透问题。高压侧和低压侧驱动器是独立控制的。该驱动器非常适合用于高压降压和电机控制应用。该部件采用SO8和8引脚2mm×2mm DFN封装,完全指定范围为-40C至140C。

特色

  • 驱动高低侧的两个N沟道MOSFET
  • 用于高端栅极驱动的集成自举二极管
  • 自举电源电压范围高达180V
  • 0.5A源极,0.8A汇极输出电流能力
  • 驱动1nF负载,典型上升/下降时间为19ns/17ns
  • 宽电源电压范围5.5V至20V
  • 2 ns延迟匹配(典型)
  • 驱动电压欠压锁定(UVLO)保护
  • 工作结温度范围-40°C至140°C

应用

  • 降压式变换器
  • 隔离电源
  • D级音频放大器
  • 两个开关和有源钳位正激转换器
  • 电动机
NCP81080DR2G所属分类:栅极驱动器,NCP81080DR2G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NCP81080DR2G价格参考¥11.661069,你可以下载 NCP81080DR2G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NCP81080DR2G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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