特色
- 用于同步整流桥的双MOSFET驱动器
- 可调栅极电压(5V至12V),实现最佳效率
- 36V内部自举肖特基二极管
- 防止自举电容器过充电
- 支持高开关频率(高达2MHz)
- 3A下沉电流能力
- 快速上升/下降时间和低传播延迟
- 输出级停机的三态PWM输入
- 具有功率排序要求的应用的三态PWM输入滞后
- 预POR过电压保护
- VCC欠电压保护
- 用于增强散热的可膨胀底部铜垫
- 双平面无引线(DFN)封装
- 近芯片级封装封装;提高PCB效率,外形更薄
- 无铅可用(符合RoHS)
起订量: 1
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...