特色
- VDD逻辑电源电压范围从2.375V到5.5V,25MHz串行接口
- 工作温度范围从-40°C到85°C,VNN电源电压从-200到0V
- 无锁存SOI HVCMOS工艺技术,实现高性能和鲁棒性
- 无需专用高压电源,输入范围扩展至210Vp-p
- RON平坦度在整个输入范围内,菊花链串行接口
- 低功耗,150pC的低电荷注入和电压尖峰
- 2MHz±90V脉冲时的二次谐波失真<-45dB,5MHz(50欧姆)时的隔离度为-80dB(典型值)
- 低寄生电容提供高带宽
- DC至30MHz小信号模拟带宽(CLOAD=200pF)
- 500KHz至20MHz高信号模拟带宽(CLOAD=200pF)
- 医学超声成像;无损检测(NDT)/工业超声成像;打印机
应用
信号处理、医疗、便携式设备、消费电子产品