用于IGBT和MOSFET的8引脚PDIP封装中具有典型的0.25 A源极和0.5 A漏极电流的600 V高压侧驱动器IC。也可提供8铅SOIC。
特色
- 为引导操作设计的浮动通道
- 完全运行至+600 V
- 耐受负瞬态电压dV/dt免疫
- 特定应用的栅极驱动范围:12至20 V(IR2127、IR2128输出与输入异相(IR2128)
应用
- 电机控制和驱动
- 机器人
- 快速电动汽车充电
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
100+ | 6.42310 | 642.31050 |
200+ | 5.78079 | 1156.15800 |
500+ | 5.35258 | 2676.29150 |
1000+ | 5.13848 | 5138.48300 |
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用于IGBT和MOSFET的8引脚PDIP封装中具有典型的0.25 A源极和0.5 A漏极电流的600 V高压侧驱动器IC。也可提供8铅SOIC。
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。