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IXDN602SITR带有引脚细节，包括IXDN602系列，它们设计用于低侧类型，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR），提供Clare等商品名称功能，包装箱设计用于表面安装，其工作温度范围为7.5ns、6.5ns，该设备也可用于-55°C～150°C（TJ）安装类型。此外，供应商设备包为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）外露焊盘，该设备提供2个分辨率位，该设备具有独立于数据接口的功能，电压供应模拟为非反相，ADC DAC的数量为，Sigma Delta为4.5 V ~ 35 V，S/N比ADC DAC db Typ为0.8V、3V，动态范围ADC DAC db Typ为2A、2A。
IXDN604PI是门驱动器4A双低侧超快Mosfet DRV，包括0.080001盎司单位重量，它们设计用于双低侧超快Mosfet驱动器类型，商品名显示在数据表注释中，用于Clare，提供最小电源电压功能，如4.5 V，最大电源电压设计用于35 V，以及IXDN604系列，该装置也可以用作9ns上升时间。此外，该产品为MOSFET栅极驱动器，该器件采用管式封装，该器件具有DIP-8封装外壳，输出电流为4A，工作电源电流为10uA，驱动器数量为2个驱动器，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-40℃，最大工作温度范围+125℃，下降时间为8ns。
IXDN604SI是由IXYS制造的4A双低端超快Mosfet DRV栅极驱动器。IXDN604SI采用SOIC-8封装，是PMIC栅极驱动器的一部分，支持栅极驱动器4A双低端超快Mosfet DRV、低端栅极驱动器IC非反相8-SOIC-EP、驱动器4A 2-OUT低端非反相汽车8引脚SOIC EP管。
