特色
- 以半桥配置驱动2个N沟道MOSFET
- 节省空间的SO8和低RC-S QFN封装
- 相电源最大电压至80VDC
- 自举电源最大电压为96VDC
- 驱动1000pF负载,具有典型的上升和下降时间。15纳秒
- TTL/CMOS兼容输入阈值
- 非半桥拓扑的独立输入
- 无启动问题
- 低功耗
- 广泛的供应范围
- 电源欠压保护
- QFN包
- 符合JEDEC PUB95 MO-220 QFN
- 四芯扁平无引线-封装外形
- 无铅可用(符合RoHS)
起订量: 1
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