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AUIRLZ44ZSTRL是MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhm，包括卷筒封装，它们设计用于0.211644盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单频源配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供80 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为42 ns，上升时间为160 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-16 V，Id连续漏极电流为51 A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为13.5mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为24nC，正向跨导Min为27S。
AUIRLZ44ZSTRR是MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计用于+/-16 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于55 V，提供单位重量功能，如0.211644盎司，晶体管类型设计用于1 N沟道，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为160 ns，器件提供13.5 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有24 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为80 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔式，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏极电流为51 A，正向跨导最小值为27 S，下降时间为42 ns，配置为单奎因源。
AUIRS1051LTR带有由IR制造的电路图。AUIRS1051 LTR采用SOT-223封装，是IC芯片的一部分。
