MCP14700T-E/SN是一种高速同步MOSFET驱动器，旨在优化驱动高侧和低侧N沟道MOSFET。MCP14700-E/SN具有两个PWM输入，以允许独立控制外部N沟道MOS。由于没有内部交叉条件保护电路，因此可以严格控制外部MOSFET死区时间，从而形成更有效的系统或独特的电机控制算法。PWM输入的过渡阈值通常在PWM输入信号上升时为1.6V，在PWM输入信号下降时为1.0V。这使得MCP14700T-E/SN非常适合使用3.0VTTL/CMOS逻辑的控制器。PWM输入被内部拉低。MCP14700T-E/SN设备的HIGHDR和LOWDR电源电流能力通常为2A峰值。虽然HIGHDR通常会降低2A峰值，但LOWDR通常会下降3.5A。低电阻上拉和下拉驱动器允许MCP14700T-E/SN在通常10ns内快速转换300pF负载。高侧驱动器的自举在内部实现，从而降低了系统成本和设计复杂性。MCP14700T-E/SN可用于表面安装8引线SOIC封装，封装体宽度为150密耳，以及8引线3mmX3mmDFN封装。
特色
- 高压侧和低压侧栅极驱动的独立PWM输入控制
- 输入与dsPIC兼容
- 高电容负载驱动能力：
- 3300 pF，10.0 ns（典型值）
- 低电源电流：80 uA（典型值）
- 高峰值输出电流：
- 源2.0A（UGATE和LGATE）
- 水槽2.0A（UGATE）和4A（LGATE）
- 内部引导阻止设备
- 支持浮动高端驱动器
- 包装：
- 8引线表面安装SOIC，150密耳主体
- 8引线3mmX3mm D
