起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 12.02321 | 12.02321 |
| 10+ | 10.80640 | 108.06407 |
| 25+ | 10.19510 | 254.87765 |
| 100+ | 8.68496 | 868.49610 |
| 250+ | 8.15492 | 2038.73150 |
| 500+ | 7.13570 | 3567.85250 |
| 1000+ | 6.73169 | 6731.69600 |
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特征
■ 600V以下高压轨
■ 全温度范围内dV/dt抗扰度±50V/nsec
■ 驱动器电流能力：
–400mA电源，
–650mA汇点
■ 开关时间70/40nsec上升/下降，1nF负载
■ 3.3V、5V、15V CMOS/TTL输入比较器，具有滞后和下拉功能
■ 内部自举二极管
■ 输出与输入同相
■ 停滞时间和联锁功能
描述
L6388ED是一种高压设备，采用BCD“离线”技术制造。它具有驱动器结构，能够驱动独立的参考N沟道功率MOS或IGBT。高压侧（浮动）段可与600V的电压轨一起工作。
逻辑输入与CMOS/TTL兼容
易于与控制设备接口。
（图片：引出线）
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | L6385ED013TR | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 17V（最大值） 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装 | ¥6.17956 |
 | L6387ED013TR | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 17V（最大值） 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装 | ¥30.84523 |
 | L6388ED013TR | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 17V（最大值） 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装 | ¥2.51176 |
 | L6392D | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 12.5V ~ 20V 供应商设备包装: 14-SO 安装类别: 表面安装 | ¥16.94839 |
 | L6390D | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 12.5V ~ 20V 供应商设备包装: 16-SO 安装类别: 表面安装 | ¥17.60025 |
 | L6391D | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 12.5V ~ 20V 供应商设备包装: 14-SO 安装类别: 表面安装 | ¥17.96239 |
 | L6387DTR | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 17V（最大值） 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装 | ¥27.20433 |
 | L6370L | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 开关种类: 一般用途 输出类别: n通道 输入比率 / 输出比率: 1:1 输出配置: 高端 负载电压: 9.5V ~ 35V 供应商设备包装: 11多瓦 | ¥5.83778 |
 | L63B3S001-AZZ00-000 | SWITCH ROCKER | ¥0.00 | |
| L63D1S001-AZZ00-000 | SWITCH ROCKER | ¥0.00 |
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（So...
