ISL6620IBZ-T

ISL6620、ISL6620A是一种高频MOSFET驱动器，设计用于驱动同步整流降压转换器拓扑中的上功率和下功率N沟道MOSFET。ISL6620的高级PWM协议ISL6620A专门设计用于Intersil VR11.1控制器，并与N沟道MOSFET相结合，形成用于高级微处理器的完整核心电压调节器解决方案。当ISL6620、ISL6620A检测到Intersil VR11.1控制器发送的PSI协议时，它激活二极管仿真（DE）操作；否则，它在正常的连续传导模式（CCM）PWM模式下工作。IC由单个低电压电源（5V）偏置，最大限度地减少了高MOSFET栅极电容和高开关频率应用中的驱动损耗。每个驱动器能够以小于10ns的上升/下降时间驱动3nF负载。上栅极驱动器的自举通过内部低正向压降二极管实现，降低了实现成本和复杂性，并允许使用更高性能、成本效益高的N沟道MOSFET。为了进一步提高轻负载效率，ISL6620、ISL6620A在PSI模式下启用二极管仿真操作。这通过检测电感器电流何时达到零，然后关闭低侧MOSFET以防止其吸收电流，从而允许不连续传导模式（DCM）。集成了先进的自适应穿透保护，以防止上下MOSFET同时传导，并将死区时间减至最小。ISL6620、ISL6620A具有20kΩ 集成高侧栅极到源极电阻器，以防止由于高输入总线dV/dt而导致的自导通。

特色