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IXDN55N120D1是IGBT 1200V 100A W/DIODE SOT-227B，包括IXDN55N220系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，封装盒设计用于SOT-227-4、miniBLOC以及底盘安装型，该设备也可以用作SOT-227B供应商设备包。此外，输入是标准的，该设备以单配置提供，该设备最大功率为450W，集电器Ic最大值为100A，集电器-发射极击穿最大值为1200V，集电器截止最大值为3.8mA，IGBT类型为NPT，最大Vge Ic上的Vce为2.8V@15V，55A，输入电容Cies Vce为3.3nF@25V，NTC热敏电阻为否，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为1200 V，集电极/发射极饱和电压为2.3 V，最大栅极-发射极电流为+/-20 V，连续集电极电流Ic最大值为100 A。
IXDN602D2TR和用户指南，包括非反相电压模拟电源，它们设计用于低侧类型，商品名显示在数据表注释中，用于Clare，提供供应商设备包功能，如8-VDFN暴露垫、S/N比率ADC DAC db Typ，设计用于0.8V、3V以及4.5V~35V Sigma Delta，该设备也可以用作2个分辨率位。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备采用表面贴装包装盒，其工作温度范围为7.5ns、6.5ns，ADC DAC数量为，安装类型为-55°C~150°C（TJ），动态范围ADC DAC db Typ为2A、2A，数据接口独立。
IXDN55N120AU1，电路图由IXYS制造。IXDN55N120AU1在模块包中提供，是模块的一部分。
