ISL6161IBZA是可用于PCI Express（PCIe）应用程序的热插拔双电源配电控制器。
两个外部N沟道MOSFET被驱动以分配和控制功率，同时提供负载故障隔离。在接通时，每个外部N沟道MOSFET的栅极用10μa电流源充电。每个栅极上的电容器产生可编程斜坡（软导通），以控制浪涌电流。内置电荷泵为12V电源N沟道MOSFET开关提供栅极驱动。
两个外部电流感测电阻器和FET提供过电流（OC）保护。当通过任一电阻器的电流超过用户编程值时，控制器进入电流调节模式。当控制器进入超时周期时，超时电容器CTIM开始充电。当CTIM充电到2V阈值时，两个N沟道MOSFET都会被锁定。如果发生至少三倍于编程电流限制水平的快速硬故障，则在进入超时时间之前，N沟道FET栅极立即被拉低。通过span ENABLE/span引脚上的上升沿重置控制器。
ISL6161IBZA持续监测两个输出电压，并将PGOOD输出上的任何一个电压低报告为低。12V PGOOD电压阈值（Vth）标称约为10.8V，3.3V Vth标称约为2.85V。
特色
- +12V和+3.3V的HOT SWAP双电源分配和控制
- 提供故障隔离
- 可编程电流调节水平
- 可编程超时
- 电荷泵允许使用N沟道MOSFET
- 电源良好和过电流闭锁指示器
- 可调开启斜坡
- 开启期间的保护
- 两级限流检测可快速响应变化的故障条件
- 1µs死短路响应时间
- 200%电流过冲的3µs响应时间
- 无铅可用（符合RoHS）
