EiceDRIVER公司™ 650 V Infineon SOI半桥栅极驱动器IC，集成了IGBT和MOSFET的自举二极管，DSO-8封装中的源电流为0.36A，漏电流为0.7A。
2ED2304S06XLSA1采用Infineon薄膜SOI技术，具有优异的耐用性和抗噪声能力。施密特触发器逻辑输入与低至3.3V的标准CMOS或LSTL逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小化驱动器交叉传导。浮动沟道可用于驱动高达650V的高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT。此外，离线箝位功能在未提供IC时通过浮动栅极条件提供寄生导通的固有保护。
特色
- Infineon薄膜SOI技术
- 完全工作至+650 V偏置电压
- 集成超快、低RDSON自举二极管
- 输出源/汇电流能力+0.36 A/-0.7 A
- 对SOI技术给出的负瞬态电压耐受性高达-100V（脉冲宽度高达300ns）
- 栅极驱动电源范围为10至20 V
- 两个通道的独立欠压锁定
- 短传播延迟和延迟匹配（60 ns，最大值）
- 具有滞后和下拉功能的施密特触发器输入
- 3.3 V、5 V和15 V输入逻辑兼容
- DSO-8，符合RoHS的包装
- 集成自举二极管，降低BOM成本
- -100V负VS提高可靠性/鲁棒性
- 50%的低液位漂移损失导致更低的温度操作和更高的可靠性
- 闩锁免疫增强可靠性
- 灵活、小巧的PCB占地面积，易于使用，占地面积与IRS2304/IR2304兼容
应用
- 家用电器
- 冰箱
- 电机控制和驱动
- 电源
- 3D打印机
- 电动工具
