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1EDN8511B

  • 描述:闸门类型: N通道、P通道MOSFET 驱动器配置: 低压侧 通道类型: 单个的 电源电压: 4.5伏~20伏 供应商设备包装: PG-SOT23-6-2 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 223

  • 库存: 0
  • 单价: ¥2.46259
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥549.16
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 驱动器配置 低压侧
  • 驱动器数量 two
  • 闸门类型 N通道、P通道MOSFET
  • 输入类别 反转,非反转
  • 高侧最大电压 (自举) -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 通道类型 单个的
  • 包装/外壳 SOT-23-6
  • 电源电压 4.5伏~20伏
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) 4A、8A
  • 上升/下降时长(典型值) 6.5ns, 4.5ns
  • 逻辑电压-VIL、VIH 1.2伏、1.9伏
  • 供应商设备包装 PG-SOT23-6-2

1EDN8511B 产品详情

1沟道MOSFET栅极驱动器IC是控制IC与功能强大的MOSFET和GaN开关器件之间的关键环节。栅极驱动器IC实现了高系统级效率、优异的功率密度和一致的系统鲁棒性。

1EDN系列:快速、精确、坚固且兼容

  • 高效SMPS由5 ns短转换速率和±5ns传播延迟精度实现,用于快速MOSFET和GaN开关
  • 分离的源和汇输出简化了应用程序设计
  • 行业标准的软件包和引脚易于系统设计升级

特色

  • -10V控制和启用输入的鲁棒性在驱动脉冲变压器时提供了关键的安全裕度
  • 5A反向输出电流鲁棒性消除了在驱动TO-220和TO-247封装中的MOSFET时对肖特基开关二极管的需求
  • 得益于真正的轨对轨低阻抗输出级,酷炫的驱动器IC
  • 4V和8V UVLO(欠压锁定)选项,用于启动期间和异常条件下的瞬时MOSFET保护

应用

  • 功率因数校正
  • 同步整流
  • DC-DC转换器
  • 电信砖
  • 电动工具
  • 工业SMPS
  • 电机控制
  • 无线充电
1EDN8511B所属分类:栅极驱动器,1EDN8511B 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。1EDN8511B价格参考¥2.462586,你可以下载 1EDN8511B中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询1EDN8511B规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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