特色
- 在半桥或全桥配置中独立驱动4个N沟道FET
- 引导电源最大电压：70VDC
- 在+50°C的自由空气中驱动1000pF负载，上升和下降时间为15ns（典型值）
- 0.1至4.5µs的用户可编程停滞时间
- DIS（禁用）超控输入控制并在拉低时刷新自举电容器
- 输入逻辑阈值与5V至15V逻辑电平兼容
- 穿透式保护
- 欠电压保护
- 可提供无铅加退火（符合RoHS）
ISL83202IBZ
- 描述:闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 8.5V ~ 15V 供应商设备包装: 16-SOIC 安装类别: 表面安装
- 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 31.50661 | 31.50661 |
| 10+ | 28.31973 | 283.19739 |
| 25+ | 26.77555 | 669.38882 |
| 100+ | 23.20480 | 2320.48030 |
| 250+ | 22.01522 | 5503.80725 |
| 500+ | 19.75414 | 9877.07050 |
| 1000+ | 18.74824 | 18748.24700 |
- 库存: 0
- 单价: ¥31.50662
-
数量:
- +
- 总计: ¥31.51
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 通道类型 独立的
- 输入类别 反转，非反转
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器配置 半桥
- 闸门类型 N通道MOSFET
- 波峰值电流输出 （灌入，提拉） 1A，1A
- 供应商设备包装 16-SOIC
- 驱动器数量 four
- 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
- 包装/外壳 16-SOIC（0.154“，3.90毫米宽）
- 逻辑电压-VIL、VIH 1伏、2.5伏
- 电源电压 8.5V ~ 15V
- 上升/下降时长（典型值） 9ns，9ns
- 高侧最大电压 (自举) 70 V
ISL83202IBZ 产品详情
ISL83202IBZ是一种中频H桥FET驱动器，其峰值驱动电流为1A（典型值），设计用于驱动中压应用中的高侧和低侧N沟道MOSFET。ISL83202IBZ针对PWM电机控制和不间断电源系统进行了优化，实现了简单灵活的基于桥接的设计。ISL83202IBZ的典型输入输出传播延迟低至25ns，用户可编程停滞时间范围为0.1µs至4.5µs，是切换频率高达200kHz的理想选择。ISL83202IBZ的死区时间可通过单个电阻器进行编程。ISL83202的四个独立驱动器控制输入（ALI、AHI、BLI和BHI）允许驱动所有可能的开关组合，但会导致直通条件的开关除外。全局禁用输入DIS覆盖输入控制，并使ISL83202IBZ在拉低时刷新自举电容器。集成的欠压保护和直通保护确保系统运行可靠。ISL83202IBZ采用紧凑型16 Ld SOIC和16 Ld PDIP封装，工作温度范围为-55°C至+125°C。
ISL83202IBZ 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | ISL29120IROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 输出: IOC 电源电压: 2.25 V ~ 3.63 V 最大供电电流: 85A @ 3V 分辨率（比特）: 16 b 包装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥122.53535 |
 | ISL29124IROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 输出: IOC 电源电压: 2.25 V ~ 3.63 V 最大供电电流: 85A @ 3V 分辨率（比特）: 16 b 包装/外壳: 6-VFDFN 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥20.39467 |
 | ISL29125IROZ-T7A | 瑞萨电子 (Renesas) | 输出: IOC 电源电压: 2.25 V ~ 3.63 V 最大供电电流: 85A @ 3V 分辨率（比特）: 16 b 包装/外壳: 6-WFDFN Module 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥458.58865 |
 | ISL29125IROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 输出: IOC 电源电压: 2.25 V ~ 3.63 V 最大供电电流: 85A @ 3V 分辨率（比特）: 16 b 包装/外壳: 6-WFDFN Module 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥44.0087 |
 | ISL29035IROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 种类: 周围的 输出类别: IOC 工作波长: 550nm 电源电压: 2.25伏~3.63伏 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 6-WFDFN | ¥8.7965 |
 | ISL29101IROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 种类: 周围的 输出类别: 电压 工作波长: 550nm 电源电压: 1.8伏~3.3伏 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad | ¥21.00441 |
 | ISL76671AROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 种类: 周围的 输出类别: 电压 工作波长: 550nm 电源电压: 1.8V~3V 工作温度: -40摄氏度~105摄氏度 包装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad | ¥9.51105 |
 | ISL29033IROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 种类: 周围的 输出类别: IOC 工作波长: 550nm 电源电压: 2.25伏~3.63伏 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad | ¥20.54597 |
 | ISL29020IROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 种类: 周围的 输出类别: IOC 工作波长: 540nm 电源电压: 2.25伏~3.3伏 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad | ¥28.10245 |
 | ISL29030AIROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 种类: 周围的 输出类别: IOC 电源电压: 2.25伏~3.63伏 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 8-VFDFN Exposed Pad | ¥36.76205 |
ISL83202IBZ所属分类：栅极驱动器，ISL83202IBZ 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产，可通过久芯网进行购买。ISL83202IBZ价格参考￥31.506615，你可以下载 ISL83202IBZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询ISL83202IBZ规格参数、现货库存、封装信息等信息！
瑞萨电子 (Renesas)
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器...
