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NCP3488DR2G

  • 描述:闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 同步的 电源电压: 4.6V ~ 13.2V 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 334

  • 库存: 0
  • 单价: ¥1.81073
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥604.78
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规格参数

  • 驱动器数量 two
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 输入类别 非反相
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) -
  • 驱动器配置 半桥
  • 通道类型 同步的
  • 闸门类型 N通道MOSFET
  • 逻辑电压-VIL、VIH 0.8伏、2伏
  • 高侧最大电压 (自举) 30伏
  • 工作温度 0摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 电源电压 4.6V ~ 13.2V
  • 部件状态 过时的
  • 上升/下降时长(典型值) 16ns, 11ns

NCP3488DR2G 产品详情

如果检测到错误的输入操作条件,NCP3488DR2G能够将系统与其输出引脚断开。系统的正过电压保护高达+28 V。
由于该器件使用内部NMOS,因此不需要外部器件,从而降低了系统成本和应用板的PCB面积。
如果输入电压超过过电压阈值(OVLO)或欠电压阈值(UVLO),NCP3488DR2G能够通过集成低RON功率NMOS(65 mΩ)立即断开输出与输入的连接。通电时(EN引脚=低电平),Vin超过欠压阈值后50 ms,Vout开启。
NCP3488DR2G提供负向标志(flag)输出,警告系统发生故障。此外,当用1.0μF或更大的电容器旁路时,该设备具有ESD保护输入(15 kV空气)。

应用
•手机
•照相手机
•数码静态相机
•个人数字应用程序
•MP3播放器

特色


•高达28 V的过电压保护
•片上低RDS(On)NMOS晶体管:65 mΩ
•内部充油泵
•过电压锁定(OVLO)
•欠压锁定(UVLO)
•内部50 ms启动延迟
•警报FLAG输出
•关闭EN输入
•符合IEC61000−4−2(4级)
8.0 kV(触点)
15 kV(空气)
•ESD额定值:机器型号=B
人体模型=3
•10引线WDFN 2.5x2 mm封装
•这是一个无铅设备

NCP3488DR2G所属分类:栅极驱动器,NCP3488DR2G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NCP3488DR2G价格参考¥1.810725,你可以下载 NCP3488DR2G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NCP3488DR2G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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