特色
- 在三相桥配置中独立驱动6个N沟道MOSFET
- 自举电源最大电压高达95VDC,偏置电源为7V至15V
- 1.25A峰值关断电流
- 用户可编程停滞时间(0.5μs至4.5μs)
- 自举和可选的电荷泵保持高侧驱动器偏置电压。
- 可编程引导刷新时间
- 驱动1000pF负载,典型上升时间为20ns,下降时间为10ns
- 可编程欠压设定点
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 24.73175 | 24.73175 |
10+ | 24.50691 | 245.06917 |
100+ | 24.28208 | 2428.20830 |
500+ | 24.05724 | 12028.62450 |
3000+ | 23.83241 | 71497.24500 |
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...