低压侧、高压侧和半桥电路中MOSFET和IGBT的功率驱动器。
特色
- IGBT米勒平台电压下的大电流输出（+4.0/-6.0 A）
- 减少开关损耗和缩短开关时间
- 低VOH和VOL
- IGBT的全面增强
- 有源米勒箝位
- 防止虚假门开启
- 具有可编程延迟的DESAT保护
- 增强的可编程保护
应用
- DC-AC逆变器
- 电池充电器
- 功率因数校正
- 电机驱动器
- 太阳能转化器
- 不间断电源（UPS）
- 电机控制
NCD5700DR2G
- 描述:HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 187
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 14.97596 | 14.97596 |
| 10+ | 13.34699 | 133.46999 |
| 30+ | 13.08426 | 392.52789 |
- 库存: 7478
- 单价: ¥14.97596
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,446.76
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 部件状态 可供货
- 高侧最大电压 (自举) -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 驱动器配置 -
- 通道类型 -
- 驱动器数量 -
- 闸门类型 -
- 电源电压 -
- 逻辑电压-VIL、VIH -
- 波峰值电流输出 （灌入，提拉） -
- 输入类别 -
- 上升/下降时长（典型值） -
- 工作温度 -
- 安装类别 -
- 包装/外壳 -
- 供应商设备包装 -
NCD5700DR2G 产品详情
MOSFET和IGBT驱动器，ON半导体
NCD5700DR2G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NCD57001DWR2G | 安盛美 (onsemi) | 闸门类型: 绝缘栅双极晶体管 驱动器配置: 半桥 通道类型: 单个的 电源电压: 24伏 供应商设备包装: 16-SOIC 安装类别: 表面安装 | ¥37.9528 |
 | NCD57000DWR2G | 安盛美 (onsemi) | 闸门类型: 绝缘栅双极晶体管 驱动器配置: 半桥 通道类型: 单个的 电源电压: 24伏 供应商设备包装: 16-SOIC 安装类别: 表面安装 | ¥38.36999 |
 | NCD5700DR2G | 安盛美 (onsemi) | HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER | ¥11.66107 |
 | NCD5703CDR2G | 安盛美 (onsemi) | 闸门类型: 绝缘栅双极晶体管 驱动器配置: 半桥 通道类型: 单个的 电源电压: 20伏 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装 | ¥10.88159 |
 | NCDUAL | 国际测试产品公司 (TPI) | TEST LEAD SOCKET TO SOCKET | ¥94.59227 |
 | NCD3220S1 | 暂无 | ¥6.02191 | |
| NCD4437S1 | 暂无 | ¥4.70823 | |
 | NCD0805R1 | 发光颜色：红灯 | ¥0.07515 | |
| NCD0805G1 | 发光颜色：翠绿 | ¥0.13707 | |
 | NCD0603R1 | 发光颜色：红灯 | ¥0.05459 |
NCD5700DR2G所属分类：栅极驱动器，NCD5700DR2G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NCD5700DR2G价格参考￥14.975963，你可以下载 NCD5700DR2G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NCD5700DR2G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
