L6393D是使用BCD?“离线”技术。它是用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单片半桥栅极驱动器。
高压侧(浮动)部分设计为承受高达600 V的电压轨。
逻辑输入为CMOS/TTL兼容,低至3.3V,便于微控制器/DSP接口。
IC嵌入了一个未提交的比较器,可用于保护过电流、过热等。
特色
- 290毫安电源,
- 430毫安汇
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 25.18063 | 25.18063 |
10+ | 22.23799 | 222.37992 |
30+ | 20.49342 | 614.80269 |
100+ | 18.72783 | 1872.78360 |
500+ | 17.90809 | 8954.04950 |
1000+ | 17.54026 | 17540.26900 |
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L6393D是使用BCD?“离线”技术。它是用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单片半桥栅极驱动器。
高压侧(浮动)部分设计为承受高达600 V的电压轨。
逻辑输入为CMOS/TTL兼容,低至3.3V,便于微控制器/DSP接口。
IC嵌入了一个未提交的比较器,可用于保护过电流、过热等。
意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(So...