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MIC4101YM是IC MOSFET DVR HALF BRIDGE 8-SOIC，包括MIC4101系列，它们设计用于MOSFET栅极驱动器产品，类型如数据表中所示，用于半桥，提供管交替封装等封装功能，单位重量设计为0.019048盎司，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作表面安装封装盒，其工作温度范围为400ns，400ns，该设备提供-40°C~125°C（TJ）安装类型，该器件具有8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）供应商设备包的分辨率位为2，数据接口独立，电压供应模拟为非反相，电压供应数字为118V，ADC DAC数量为，Sigma Delta为9V~16V，S/N比ADC DAC db Typ为0.8V、2.2V，动态范围ADC DAC db Typ为2A、2A，输出数量为1，Pd功耗为1.04 W，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-40 C，工作电源电流为3.4 mA，输出电流为2 A，下降时间为10 ns，上升时间为10纳秒，电源电压最大值为16 V，电源电压最小值为9 V，驱动器数量为1个驱动器。
MIC4100YM-TR是IC驱动器MOSFET 100V CMOS 8SOIC，包括118V数字电源，它们设计用于非反相模拟电源，单位重量如数据表注释所示，用于0.019048盎司，提供半桥、，供应商设备包设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽），以及3V，8V S N比ADC DAC db Typ，该设备也可以用作9V~16V Sigma Delta。此外，分辨率位为2，该设备在半桥驱动器产品中提供，该设备具有部件号别名的MIC4100YM TR，包装为磁带和卷轴（TR）交替封装，封装外壳为表面安装，其工作温度范围为400ns、400ns，ADC DAC数量为，安装类型为SMD/SMT，安装类型是-40°C~125°C（TJ），动态范围ADC DAC db Typ为2A、2A，数据接口独立。
MIC4101BM-TR带电路图，包括独立数据接口，设计用于2A、2A动态范围ADC DAC db Typ，安装类型如数据表注释所示，用于-40°C~125°C（TJ）环境，提供多种ADC DAC功能，例如，工作温度范围为400ns、400ns，以及表面安装封装外壳，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，分辨率位为2，该器件提供9V~16V Sigma Delta，该器件具有0.8V、2.2V的S/N比ADC DAC db Typ，供应商器件封装为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽），类型为半桥，电压供应模拟为非反相，电压供应数字为118V。
MIC4101BM是IC DRIVER MOSFET 100V TTL 8-SOIC，包括管封装，它们设计为与表面安装封装外壳一起工作，数据表说明中显示了用于非反相的模拟电压源，提供数据接口功能，如独立，类型设计为在半桥中工作，以及9V~16V Sigma Delta，该器件也可作为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）供应商器件封装使用，其工作温度范围为400ns，400ns，该器件的温度范围为-40°C~125°C（TJ）安装类型，该设备具有2A、2A的动态范围ADC DAC db Typ，分辨率位为2，数字电源电压为118V，S N比ADC DAC db Typ为0.8V、2.2V，ADC DAC数量为。
