IXDD404PI零件是由IXYS制造的MOSFET DRVR 4A 2-OUT低端非Inv 8引脚PDIP，可在9icnet Electronics购买。在这里，您可以找到来自世界领先制造商的各种类型和价值的电子零件。9icnet Electronics的IXDD404PI组件经过精心挑选，经过严格的质量控制，并成功满足所有要求的标准。
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IXDA20N120AS是IGBT 1200V 38A 200W TO263AB，包括IXDA20N220AS系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）交替包装包装。数据表注释中显示了用于IXDA20N1 20AS-TR的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.056438盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-263-3、D2Pak（2引线+标签），TO-263AB包装箱，该设备也可用作标准输入类型。此外，安装类型为表面安装，该器件在TO-263供应商器件包中提供，该器件具有单一配置，功率最大值为200W，集电器Ic最大值为38A，集电器发射极击穿最大值为1200V，IGBT类型为NPT，最大Vge Ic上的Vce为3V@15V，20A，开关能量为3.1mJ（开），2.4mJ（关），栅极电荷为70nC，测试条件为600V、20A、82 Ohm、15V，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为1200 V，集电极/发射极饱和电压为2.8 V，最大栅极-发射极电压为+/-20 V，连续集电极电流Ic最大值为34 A。
IXDA20N120AS-TUBE是IGBT 1200V 38A 200W TO263AB，包括1200V电压集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以3V@15V、20A Vce运行，单位重量如数据表注释所示，用于0.056438盎司，提供600V、20A、82欧姆、15V等测试条件功能，开关能量设计为在3.1mJ（开）、2.4mJ（关）下工作，以及TO-263供应商设备包，该设备也可以用作IXDA20N120AS系列。此外，最大功率为200W，器件采用管交替封装，器件具有TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，安装类型为表面安装，输入类型为标准型，IGBT类型为NPT，栅极电荷为70nC，集流器Ic最大值为38A。
IXDD404P1，带有IXYS制造的电路图。IXDD404P1采用DIP-8封装，是IC芯片的一部分。
