用于IGBT和MOSFET的600V三相半桥栅极驱动器IC，具有典型的0.2A源极和0.35A漏极电流，采用结隔离电平移位技术的PDIP-28封装。为了提高负瞬态电压的鲁棒性，高达-100V，电平漂移损耗降低50%，请检查我们的Infineon SOI 600V三相栅极驱动器6EDL04I06PT、6EDL04E06NT、6EDL4N06PT。或6EDL04N02PR，它是TSSOP-28封装中提供的200 V三相栅极驱动器
特色
- 为引导操作设计的浮动通道
- 完全运行至+600 V
- 耐受负瞬态电压，dV/dt免疫
- 栅极驱动电源范围为10 V至20 V（IR2136/IR21368）、11.5 V至20 V（IR21364）或12 V至20伏（IR21363/IR21365/IR21366）
- 所有通道的欠压锁定
- 过电流关机关闭所有六个驱动器
- 独立的3个半桥驱动器
- 所有信道的匹配传播延迟
- 交叉传导防止逻辑
- 低端输出与输入异相，高端输出异相。（IR2136/IR21363/IR21365/IR21366/IR21368）
- 低端和高端输出与输入同相。（IR21364）
- 3.3 V逻辑兼容
- 较低的di/dt栅极驱动可获得更好的抗噪声能力
- 用于自动故障清除的外部可编程延迟
- 无铅且符合RoHS
应用
- 电动工具
- 家用电器
- 房间空调器
- 冰箱
- 真空吸尘器
- 洗衣机
- 轻型电动汽车
- 电机控制和驱动
- 微型/微型逆变器驱动器
- 3D打印机
