所有商标均为其各自所有者的财产。
描述UCC27211A-Q1器件驱动器基于流行的UCC27201 MOSFET驱动器；但是，该设备提供了几个显著的性能改进。
峰值输出上拉和下拉电流已增加到4-A源和4-Asink，上拉和下拉电阻已降低到0.9Ω，从而允许在通过MOSFET的MillerPlateau过渡期间以最小的开关损耗驱动大功率MOSFET。输入结构可以直接处理–10 VDC，这提高了可靠性，还允许直接连接到栅极驱动变压器，而无需使用整流二极管。输入也独立于电源电压，最大额定值为20伏。
UCC27211A-Q1（HS引脚）的开关节点可以处理–18-V最大值，这允许保护高侧通道免受寄生电感和杂散电容引起的固有负电压的影响。UCC27211A-Q1具有增加的滞后性，允许与具有增强的抗噪声能力的模拟或数字PWM控制器接口。
低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并且在彼此的开启和关闭之间匹配到2ns。
片上120V额定自举二极管消除了外部分立二极管。为高压侧和低压侧驱动器提供了欠压锁定，这提供了对称的开启和关闭行为，并在驱动电压低于指定阈值时强制输出为低。
UCC27211A-Q1设备采用8引脚SO-PowerPAD封装。
特色
- 具备汽车应用资格
- AEC-Q100合格，结果如下：
- 设备温度等级-40°C至+140°C环境工作温度范围
- 器械HBM分类级别2
- 设备CDMC分类等级C6
- 驱动具有独立输入的高侧和低侧配置的两个N沟道MOSFET
- 最大启动电压120V DC
- 4-A汇点，4-A源输出电流
- 0.9-Ω上拉和下拉电阻
- 输入引脚可耐受-10 V至+20 V，与电源电压范围无关
- TTL兼容输入
- 8-V至17-V VDD工作范围（20-V ABS MAX）
- 1000 pF负载下7.2-ns上升和5.5-ns下降时间
- 快速传播延迟时间（典型值为20 ns）
- 4-ns延迟匹配
- 高压侧和低压侧驱动器的对称欠压锁定
- 在行业标准SO PowerPAD SOIC-8封装中提供
- 规定温度为-40至+140°C
所有商标均为其各自所有者的财产。
描述UCC27211A-Q1器件驱动器基于流行的UCC27201 MOSFET驱动器；但是，该设备提供了几个显著的性能改进。
峰值输出上拉和下拉电流已增加到4-A源和4-Asink，上拉和下拉电阻已降低到0.9Ω，从而允许在通过MOSFET的MillerPlateau过渡期间以最小的开关损耗驱动大功率MOSFET。输入结构可以直接处理–10 VDC，这提高了可靠性，还允许直接连接到栅极驱动变压器，而无需使用整流二极管。输入也独立于电源电压，最大额定值为20伏。
UCC27211A-Q1（HS引脚）的开关节点可以处理–18-V最大值，这允许保护高侧通道免受寄生电感和杂散电容引起的固有负电压的影响。UCC27211A-Q1具有增加的滞后性，允许与具有增强的抗噪声能力的模拟或数字PWM控制器接口。
低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并且在彼此的开启和关闭之间匹配到2ns。
片上120V额定自举二极管消除了外部分立二极管。为高压侧和低压侧驱动器提供了欠压锁定，这提供了对称的开启和关闭行为，并在驱动电压低于指定阈值时强制输出为低。
UCC27211A-Q1设备采用8引脚SO-PowerPAD封装。
