L6398D是用BCD?“离线”技术。它是用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单片半桥栅极驱动器。
高压侧(浮动)部分设计为承受高达600 V的电压轨。逻辑输入为CMOS/TTL兼容,低至3.3 V,便于微控制器/DSP接口。
特色
- 290 mA电源
- 430毫安汇
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 16.58390 | 16.58390 |
10+ | 14.50303 | 145.03038 |
30+ | 13.19986 | 395.99601 |
100+ | 11.85465 | 1185.46570 |
500+ | 10.75116 | 5375.58250 |
1000+ | 10.48842 | 10488.42900 |
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L6398D是用BCD?“离线”技术。它是用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单片半桥栅极驱动器。
高压侧(浮动)部分设计为承受高达600 V的电压轨。逻辑输入为CMOS/TTL兼容,低至3.3 V,便于微控制器/DSP接口。
意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(So...