特色
- 用于+600V自举操作的浮动信道
- 栅极驱动电源范围从10V到20V
- 两个通道的内置欠压锁定
- 3.3V和5.0V输入逻辑兼容
- 输出与输入同相
BS2114F-E2
- 描述:闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 高端或低端 通道类型: 独立的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 8-SOP 安装类别: 表面安装
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
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- 单价: ¥21.75767
-
数量:
- +
- 总计: ¥21.76
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规格参数
- 通道类型 独立的
- 驱动器数量 two
- 安装类别 表面安装
- 波峰值电流输出 （灌入，提拉） -
- 输入类别 反相
- 工作温度 -40摄氏度~125摄氏度（TA）
- 闸门类型 IGBT，N通道MOSFET
- 上升/下降时长（典型值） 30ns, 30ns
- 电源电压 10伏~20伏
- 部件状态 过时的
- 高侧最大电压 (自举) 600 V
- 逻辑电压-VIL、VIH 0.8伏、2.6伏
- 驱动器配置 高端或低端
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 包装/外壳 8-SOIC (0.173", 4.40毫米 Width)
- 供应商设备包装 8-SOP
BS2114F-E2 产品详情
BS2114F-E2是一个单片高低侧栅极驱动IC，可以通过自举操作驱动高速功率MOSFET和IGBT驱动器。浮动沟道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达600V。逻辑输入可使用3.3V和5.0V。当VCC和VBS低于规定阈值电压时，欠压锁定（UVLO）电路可防止故障。
BS2114F-E2 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BS2I | 内存保护设备公司 (MPD) | BATTERY CONNECT/SNAP 9V 2" LEADS | ¥14.40874 |
| BS2I-HD | 内存保护设备公司 (MPD) | 样式: Connector, Snap 电芯尺寸: 9伏 电池数量: one 端接样式: Wire Leads 包装: 散装 | ¥17.20913 |
| BS2I-MC | 内存保护设备公司 (MPD) | 样式: Connector, Snap 电芯尺寸: 9伏 电池数量: one 端接样式: Wire Leads 包装: 散装 | ¥45.91999 |
| BS2T-HD | 内存保护设备公司 (MPD) | BATTERY SNAP 9V 2" LEADS | ¥26.13963 |
| BS2LA | 欧姆龙 (Omron) | 附件种类: 激光对准工具 包装: 散装 系列: BeamSafe II-EP | ¥141.13283 |
| BS2RC24 | 欧姆龙 (Omron) | RECEIVER UNIT BEAMSAFE II | ¥1,219.13941 |
| BS2XC24 | 欧姆龙 (Omron) | TRANS UNIT BEAMSAFE II DC | ¥1,045.29533 |
 | BS2-IC | 视差 (Parallax) | 模块/板卡类型: MCU核心 处理器核心: PIC16C57C 速度: 20MHz 闪存的大小: 2KB EEPROM 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度 | ¥408.13742 |
 | BS2PE | 视差 (Parallax) | 模块/板卡类型: MCU核心 处理器核心: SX48AC 速度: 8MHz 闪存的大小: 32KB EEPROM 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度 | ¥543.2175 |
 | BS2P40 | 视差 (Parallax) | 模块/板卡类型: MCU核心 处理器核心: SX48AC 速度: 20MHz 闪存的大小: 16KB EEPROM 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度 | ¥741.31082 |
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
