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HIP1020CKZ-T

  • 描述:种类: 热插拔控制器 通道数量: three 电源电压: 5V, 12V 工作电流: 1.6毫安 供应商设备包装: 5-SOT 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 18.83154 18.83154
10+ 16.88320 168.83200
25+ 15.93148 398.28707
100+ 13.57319 1357.31950
250+ 12.74460 3186.15175
500+ 11.15145 5575.72950
1000+ 10.03938 10039.38400
3000+ 10.03938 30118.15200
  • 库存: 19265
  • 单价: ¥18.83154
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥18.83
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 内部开关
  • 应用及使用 一般用途
  • 特点 -
  • 最大输出电流 -
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 可编程功能 -
  • 工作电流 1.6毫安
  • 工作温度 0摄氏度~70摄氏度
  • 电源电压 5V, 12V
  • 种类 热插拔控制器
  • 通道数量 three
  • 包装/外壳 SC-74A,SOT-753
  • 供应商设备包装 5-SOT

HIP1020CKZ-T 产品详情

HIP1020CKZ-T向3.3V、5V和12V MOSFET的任意组合的栅极施加线性电压斜坡。内部电荷泵将12V偏压加倍或5V偏压加倍,以提供使用更具成本效益的N沟道MOSFET时所需的高侧驱动能力。5V/ms斜坡速率由内部控制,是在设备间隔指定的di/dt限制内打开大多数设备的正确值。如果需要更慢的速率,则可以使用可选的外部电容器来覆盖内部确定的斜坡速率。当VCC=12V时,电荷泵在大约4ms内将HGATE上的电压从零上升到22V。当用作12V电源控制的高压侧开关时,这允许标准或逻辑电平MOSFET完全增强。LGATE上的电压从零渐变到16V,允许同时控制3.3V和/或5V MOSFET。当VCC=5V时,电荷泵进入三倍电压模式。HGATE上的电压在大约3ms内从零上升到12.5V,而LGATE上升到12.0V。当12V偏置不可用时,该模式非常适合控制3.3V和5V电源开关中使用的高压MOSFET开关。

特色

  • 根据设备间隔规格控制上升时间
  • 无需其他组件
  • 内部电荷泵驱动N沟道MOSFET
  • 驱动一个、两个或三个输出的任意组合
  • 内部控制的接通斜坡
  • 可选电容器选择较慢的速率
  • 防止热插入过程中误打开
  • 使用12V或5V偏压工作
  • 提高设备机架外围设备尺寸成本和复杂性
  • 最小组件计数
  • 微型5针SOT23封装
  • 控制标准和逻辑电平MOSFET
  • 兼容TTL和3.3V逻辑器件
  • 关闭电流<1µA
  • 工作电流<3mA


HIP1020CKZ-T所属分类:热插拔控制器,HIP1020CKZ-T 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。HIP1020CKZ-T价格参考¥18.831540,你可以下载 HIP1020CKZ-T中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询HIP1020CKZ-T规格参数、现货库存、封装信息等信息!

瑞萨电子 (Renesas)

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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash;安全可靠。作为微控制器...

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