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DG613DY-E3

  • 描述:电线数量: one 多路复用器/解复用器电路: 2:2 最大值通态电阻: 45欧姆 供应商设备包装: 16-SOIC 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度(TA) 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 0
  • 单价: ¥1,898.52343
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1,898.52
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规格参数

  • 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
  • 部件状态 过时的
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 电线数量 one
  • 包装/外壳 16-SOIC(0.154“,3.90毫米宽)
  • 最大漏电电流 (IS(off)) 250pA
  • 通路至通路匹配 (Δ导通电阻) 2欧姆
  • 供应商设备包装 16-SOIC
  • 最大值通态电阻 45欧姆
  • 开关线路 DPDT
  • 多路复用器/解复用器电路 2:2
  • 电源电压,双电源电压(±) ±10V ~ 15V
  • 充电注入 4pC
  • 3db 频段宽度 500MHz
  • 最大开关时间(Ton, Toff) 35ns, 25ns
  • 电源电压,单电源电压(±) 10伏~18伏
  • 通道电容(CS(关闭),CD(关闭)) 3皮法, 2皮法
  • 串化干扰 -87分贝@10MHz

DG613DY-E3 产品详情

DG613DY-E3是单刀单掷(SPST)低毛刺D/CMOS模拟开关,具有高速低电容横向DMOS工艺。电荷注入已最小化,以优化快速采样和保持应用中的性能。每一个开关在接通时在两个方向上都传导良好,在断开时阻断高达16Vp-p的电流。电容已被最小化,以确保快速切换和低故障能量。为了实现如此快速和干净的开关性能,DG613D基于Vishay Siliconix专有的D/CMOS工艺。该工艺将n沟道DMOS开关FET与低功耗CMOS控制逻辑和驱动器相结合。外延层防止闩锁。

特色

  • 提高了数据吞吐量
  • 最小开关瞬态
  • 改进的系统性能
  • 易于连接
  • 低插入损耗
  • 最小功耗
  • 快速切换
  • 单电源操作
  • 500MHz宽带
DG613DY-E3所属分类:模拟开关/多路复用/解复用器,DG613DY-E3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DG613DY-E3价格参考¥1898.523434,你可以下载 DG613DY-E3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DG613DY-E3规格参数、现货库存、封装信息等信息!

黑森尔 (Vishay Siliconix)

黑森尔 (Vishay Siliconix)

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...

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