UCC2720x系列高频N沟道MOSFET驱动器包括120V自举二极管和具有独立输入的高端和低端驱动器,以实现最大的控制灵活性。这允许半桥、全桥、双开关正向和有源箝位正向转换器中的N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器被独立控制,并且在彼此的接通和断开之间匹配为1ns。
片上自举二极管消除了外部分立二极管。如果驱动电压低于指定阈值,则为高压侧和低压侧驱动器提供欠压锁定,迫使输出变低。
提供两种版本的UCC27200。UCC27200具有高噪声免疫CMOS输入阈值,而UCC27201QDDARQ1具有TTL兼容阈值。
特色
- 在高压侧驱动两个N沟道MOSFET
和低端配置 - HS上的负电压处理(–5 V)
- 最大启动电压120 V
- 最大VDD电压为20 V
- 片上0.65-V VF,0.6-ΩRD自举二极管
- 工作频率大于1 MHz
- 20ns传播延迟时间
- 3-A接收器和3-A源输出电流
- 1000 pF负载时8 ns上升和7 ns下降时间
- 1-ns延迟匹配
- 高压侧和低压侧欠压锁定
驾驶员 - 规定温度为-40°C至140°C