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UCC27201QDDARQ1

  • 描述:闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 8V ~ 17V 供应商设备包装: 8-SO PowerPad 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 德州仪器 (Texas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 205

  • 库存: 0
  • 单价: ¥10.64706
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,182.65
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规格参数

  • 制造厂商 德州仪器 (Texas)
  • 通道类型 独立的
  • 驱动器数量 two
  • 安装类别 表面安装
  • 输入类别 非反相
  • 驱动器配置 半桥
  • 闸门类型 N通道MOSFET
  • 工作温度 -40摄氏度~140摄氏度(TJ)
  • 部件状态 过时的
  • 逻辑电压-VIL、VIH 0.8伏、2.5伏
  • 上升/下降时长(典型值) 8ns, 7ns
  • 高侧最大电压 (自举) 120伏
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) 3A,3A
  • 电源电压 8V ~ 17V
  • 包装/外壳 8-PowerSOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SO PowerPad

UCC27201QDDARQ1 产品详情

UCC2720x系列高频N沟道MOSFET驱动器包括120V自举二极管和具有独立输入的高端和低端驱动器,以实现最大的控制灵活性。这允许半桥、全桥、双开关正向和有源箝位正向转换器中的N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器被独立控制,并且在彼此的接通和断开之间匹配为1ns。

片上自举二极管消除了外部分立二极管。如果驱动电压低于指定阈值,则为高压侧和低压侧驱动器提供欠压锁定,迫使输出变低。

提供两种版本的UCC27200。UCC27200具有高噪声免疫CMOS输入阈值,而UCC27201QDDARQ1具有TTL兼容阈值。

特色

  • 在高压侧驱动两个N沟道MOSFET
    和低端配置
  • HS上的负电压处理(–5 V)
  • 最大启动电压120 V
  • 最大VDD电压为20 V
  • 片上0.65-V VF,0.6-ΩRD自举二极管
  • 工作频率大于1 MHz
  • 20ns传播延迟时间
  • 3-A接收器和3-A源输出电流
  • 1000 pF负载时8 ns上升和7 ns下降时间
  • 1-ns延迟匹配
  • 高压侧和低压侧欠压锁定
    驾驶员
  • 规定温度为-40°C至140°C


UCC27201QDDARQ1所属分类:栅极驱动器,UCC27201QDDARQ1 由 德州仪器 (Texas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。UCC27201QDDARQ1价格参考¥10.647063,你可以下载 UCC27201QDDARQ1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询UCC27201QDDARQ1规格参数、现货库存、封装信息等信息!

德州仪器 (Texas)

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