特色
- 过温度保护
- 内部下拉电阻器抑制任一MOSFET的瞬时导通
- 防交叉传导保护电路
- 一个输出信号控制上下栅极输出
- 输出禁用控制关闭两个MOSFET
- 符合VRM10.x和VRM11.x规范
- 欠压锁定
- 提供热增强包装
应用
- 驱动器
- 桌面，服务器
（图片：引出线）
NCP3420MNR2G
- 描述:闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 同步的 电源电压: 4.6V ~ 13.2V 供应商设备包装: 8-DFN (3x3) 安装类别: 表面安装
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 0
- 单价: ¥11.28444
-
数量:
- +
- 总计: ¥11.28
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规格参数
- 驱动器数量 two
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 输入类别 非反相
- 波峰值电流输出 （灌入，提拉） -
- 驱动器配置 半桥
- 通道类型 同步的
- 闸门类型 N通道MOSFET
- 逻辑电压-VIL、VIH 0.8伏、2伏
- 工作温度 0摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 电源电压 4.6V ~ 13.2V
- 高侧最大电压 (自举) 35伏
- 部件状态 过时的
- 包装/外壳 8-VFDFN Exposed Pad
- 供应商设备包装 8-DFN (3x3)
- 上升/下降时长（典型值） 16ns, 11ns
NCP3420MNR2G 产品详情
NCP3420MNR2G是一款单相MOSFET栅极驱动器，经过优化，可驱动同步降压转换器中高侧和低侧功率MOSFET的栅极。高侧和低侧驱动器能够以30ns的传播延迟和20ns的过渡时间驱动3000pF负载。利用宽的工作电压范围，可以优化高侧或低侧MOSFET栅极驱动电压以获得最佳效率。内部自适应非重叠电路通过防止两个MOSFET同时导通来减少开关损耗。通过向输出禁用引脚施加低逻辑电平，可以将两个栅极输出驱动为低电平。欠压锁定功能可确保在电源电压低时两个驱动器输出均为低电压，热关机功能可为IC提供过热保护。
NCP3420MNR2G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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| NCP3163BUCKEVB | 安盛美 (onsemi) | 采用的IC/零件: NCP3163 板卡种类: 完全填充 输出和类别: 1，非隔离 输入电压: 8V ~ 24V 输出电压: 3.3V或5V | ¥401.32909 |
| NCP5212AGEVB | 安盛美 (onsemi) | 采用的IC/零件: NCP5212A 板卡种类: 完全填充 输出和类别: 1，非隔离 输入电压: 5V ~ 27V 输出电压: 0.8伏~3.3伏 开关频率: 300千赫兹 | ¥443.77248 |
| NCP5217AGEVB | 安盛美 (onsemi) | 采用的IC/零件: NCP5217A 板卡种类: 完全填充 输出和类别: 1，非隔离 输入电压: 5V ~ 27V 输出电压: 0.8伏~3.3伏 开关频率: 300千赫兹 | ¥544.72402 |
| NCP5252GEVB | 安盛美 (onsemi) | 采用的IC/零件: NCP5252 板卡种类: 完全填充 输出和类别: 1，非隔离 输入电压: 4.5伏~13.2伏 输出电压: 1.2伏 | ¥1,915.89191 |
NCP3420MNR2G所属分类：栅极驱动器，NCP3420MNR2G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NCP3420MNR2G价格参考￥11.284438，你可以下载 NCP3420MNR2G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NCP3420MNR2G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
