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TD350ETR是IC DRIVER IGBT/MOSFET 14-SOIC,包括TD350E系列,它们设计用于MOSFET栅极驱动器产品,类型如数据表注释所示,用于高端,提供Digi-ReelR替代封装等封装功能,单位重量设计为0.009143盎司,以及SMD/SMT安装样式,该设备也可作为表面安装封装盒使用,其工作温度范围为130ns,75ns(最大值),该设备提供-40°C~150°C(TJ)安装类型,该器件具有14-SOIC(0.154“,3.90mm宽)供应商设备包的分辨率位为1,数据接口为单一,电压供应模拟为非反相,配置为单一,ADC DAC数量为,Sigma Delta为12 V~26 V,S/N比ADC DAC db Typ为0.8V、4.2V,动态范围ADC DAC db Typ为1.5A、2.3A,输出数量为1输出,Pd功耗为500mW,最大工作温度范围为+125 C,最小工作温度范围-40 C,工作电源电流为5mA,输出电流为2.3A,下降时间为75ns,上升时间为130ns,电源电压最大值为26V,驱动器数量为1个驱动器,最大关断延迟时间为620ns,最大接通延迟时间为650ns。
带有用户指南的TD-35.328MDE-T,包括1.8V电源,设计用于MEMS(硅)类型,尺寸尺寸如数据表注释所示,用于0.098“长x 0.079”宽(2.50mm x 2.00mm),提供TD等系列功能,包装设计用于磁带和卷轴(TR),以及4-SMD、无引线(DFN、LCC)封装盒,该器件也可以用作CMOS输出,其工作温度范围为-40°C~85°C,该器件为表面安装型,该器件的高度为0.031英寸(0.80mm),功能为启用/禁用,频率稳定性为±50ppm,频率为35.328MHz。
TD3504AP,带有东芝制造的电路图。TD3504AP采用DIP8封装,是IC芯片的一部分。