TS5N412PW是一种高带宽FET总线开关，利用电荷泵来提高传输晶体管的栅极电压，提供低而平坦的导通状态电阻（ron）。低而平坦的ON状态电阻允许最小的传播延迟，并支持数据输入/输出（I/O）端口上的轨到轨切换。该设备还具有低数据I/O电容，以最小化数据总线上的电容负载和信号失真。TS5N412PW专为支持高带宽应用而设计，它提供了一种优化的接口解决方案，非常适合宽带通信、网络和数据密集型计算系统。
TS5N412PW是一个4位二选一复用器/解复用器，具有单输出使能（OE应通过上拉电阻器连接到VCC；电阻器的最小值由驱动器的电流吸收能力确定。
特色
- 工作范围内的低和平坦导通状态电阻（ron）特性（ron=3Typ）
- 数据I/O端口上的0至10-V切换
- 具有近零传播延迟的双向数据流
- 低输入/输出电容使负载和信号失真最小化（Cio（OFF）=最大20pF，B端口）
- VCC工作范围从4.75 V到5.25 V
- 闩锁性能超过100 mA，符合JESD 78，II级
- 根据JESD 22测试ESD性能
- 2000-V人体模型（A114-B，II类）
- 1000V带电装置型号（C101）
- 支持数字和模拟应用
- 应用
- PCI接口
- 差分信号接口
- 内存交错
- 总线隔离
- 低失真信号选通
TS5N412是一种高带宽FET总线开关，利用电荷泵来提高传输晶体管的栅极电压，提供低而平坦的导通状态电阻（ron）。低而平坦的ON状态电阻允许最小的传播延迟，并支持数据输入/输出（I/O）端口上的轨到轨切换。该设备还具有低数据I/O电容，以最小化数据总线上的电容负载和信号失真。TS5N412专为支持高带宽应用而设计，它提供了一个优化的接口解决方案，非常适合宽带通信、网络和数据密集型计算系统。
TS5N412是一个4位二选一多路复用器/解复用器，具有单个输出使能（OE应通过上拉电阻器连接到VCC；电阻器的最小值由驱动器的电流吸收能力确定。
