LTC1157CN8双3.3V微功率MOSFET栅极驱动器可以通过低RDS（ON）N沟道开关切换电源或接地参考负载（由于P沟道MOSFET在VGS≤3.3V的情况下没有保证RDS（ON的），所以需要在3.3V时切换N沟道）。LTC1157CN 8内部电荷泵将栅极驱动电压提升到高于正轨5.4V（高于地8.7V），充分增强3.3V高端应用的逻辑电平N通道开关和3.3V低端应用的标准N通道开关。
5V的栅极驱动电压通常高于电源8.8V（高于地13.8V），因此标准N沟道MOSFET开关可用于高压侧和低压侧应用。具有3µA待机电流和80µA工作电流的微功率操作使LTC1157CN8非常适合电池供电应用。
LTC1157CN8可用于8引脚DIP和SOIC。
特色
- 允许最低压降3.3V电源切换
- 在3.3V或5V标称电源上工作
- 3微安待机电流
- 80微安开启电流
- 驱动低成本N沟道功率MOSFET
- 无外部充电泵组件
- 受控开启和关闭时间
- 兼容3.3V和5V逻辑系列
- 提供8引脚SOIC
应用
- 笔记本电脑电源管理
- 掌上电脑电源管理
- P通道开关的更换
- 电池充电和管理
- 混合5V和3.3V电源开关
- 步进电机和直流电机控制
- 蜂窝电话和蜂鸣器
