特色
- 驱动两个N沟道MOSFET
- 自适应穿透保护
- 0.4Ω 电阻和4A吸收电流能力
- 支持高开关频率
- 快速输出上升和下降时间
- 低三态保持时间（20ns）
- 支持3.3V和5V PWM输入
- 低静态电源电流
- 通电复位
- 用于散热的可膨胀底部铜垫
- 双平面无引线（DFN）封装
- 符合JEDEC PUB95 MO-220 QFN四平无引线产品概述
- 近芯片级封装封装；提高PCB效率，外形更薄
- 无铅（符合RoHS）
ISL6596IRZ
- 描述:闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 同步的 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 10-DFN（3x3） 安装类别: 表面安装
- 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 33.75191 | 33.75191 |
| 10+ | 30.33326 | 303.33265 |
| 25+ | 28.67609 | 716.90225 |
| 100+ | 24.85183 | 2485.18380 |
| 250+ | 23.57766 | 5894.41700 |
| 500+ | 21.15607 | 10578.03800 |
| 1000+ | 20.07876 | 20078.76700 |
- 库存: 0
- 单价: ¥33.75191
-
数量:
- +
- 总计: ¥33.75
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 驱动器数量 two
- 安装类别 表面安装
- 输入类别 非反相
- 逻辑电压-VIL、VIH -
- 驱动器配置 半桥
- 通道类型 同步的
- 闸门类型 N通道MOSFET
- 电源电压 4.5伏~5.5伏
- 工作温度 -40摄氏度~125摄氏度（TJ）
- 上升/下降时长（典型值） 8ns, 8ns
- 包装/外壳 10-VFDFN外露衬垫
- 高侧最大电压 (自举) 36伏
- 供应商设备包装 10-DFN（3x3）
- 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
- 波峰值电流输出 （灌入，提拉） -，4A
ISL6596IRZ 产品详情
ISL6596IRZ是一款高频MOSFET驱动器，经过优化，可在同步降压转换器拓扑中驱动两个N沟道功率MOSFET。该驱动器与Intersil的多相降压PWM控制器相结合，形成了一个完整的单级核心电压调节器解决方案，在高级微处理器的高开关频率下具有高效性能。该IC由单个低压电源（5V）偏置，在高MOSFET栅极电容和高开关频率应用中最小化驱动器开关损耗。每个驱动器能够以小于10ns的上升/下降时间驱动3nF负载。上栅极驱动器的自举通过内部低正向压降二极管实现，降低了实现成本和复杂性，并允许使用更高性能、成本有效的N沟道MOSFET。集成了自适应穿透保护，以防止两个MOSFET同时导通。ISL6596IRZ具有4A典型的下栅极驱动器吸收电流，在PHASE节点上升沿期间增强了下MOSFET栅极抑制能力，防止了由于开关节点的高dV/dt而导致的下MOSFET自导通造成的功率损失。ISL6596IRZ还具有识别高阻抗状态的输入，与Intersil多相3.3V或5V PWM控制器一起工作，以防止操作暂停时受控输出电压上的负瞬态。该特征消除了对肖特基二极管的需要，该肖特基二极管可用于电力系统以保护负载免受负输出电压损坏。
ISL6596IRZ 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | ISL29120IROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 输出: IOC 电源电压: 2.25 V ~ 3.63 V 最大供电电流: 85A @ 3V 分辨率（比特）: 16 b 包装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥122.53535 |
 | ISL29124IROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 输出: IOC 电源电压: 2.25 V ~ 3.63 V 最大供电电流: 85A @ 3V 分辨率（比特）: 16 b 包装/外壳: 6-VFDFN 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥20.39467 |
 | ISL29125IROZ-T7A | 瑞萨电子 (Renesas) | 输出: IOC 电源电压: 2.25 V ~ 3.63 V 最大供电电流: 85A @ 3V 分辨率（比特）: 16 b 包装/外壳: 6-WFDFN Module 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥458.58865 |
 | ISL29125IROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 输出: IOC 电源电压: 2.25 V ~ 3.63 V 最大供电电流: 85A @ 3V 分辨率（比特）: 16 b 包装/外壳: 6-WFDFN Module 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥44.0087 |
 | ISL29035IROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 种类: 周围的 输出类别: IOC 工作波长: 550nm 电源电压: 2.25伏~3.63伏 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 6-WFDFN | ¥8.7965 |
 | ISL29101IROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 种类: 周围的 输出类别: 电压 工作波长: 550nm 电源电压: 1.8伏~3.3伏 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad | ¥21.00441 |
 | ISL76671AROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 种类: 周围的 输出类别: 电压 工作波长: 550nm 电源电压: 1.8V~3V 工作温度: -40摄氏度~105摄氏度 包装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad | ¥9.51105 |
 | ISL29033IROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 种类: 周围的 输出类别: IOC 工作波长: 550nm 电源电压: 2.25伏~3.63伏 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad | ¥20.54597 |
 | ISL29020IROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 种类: 周围的 输出类别: IOC 工作波长: 540nm 电源电压: 2.25伏~3.3伏 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad | ¥28.10245 |
 | ISL29030AIROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 种类: 周围的 输出类别: IOC 电源电压: 2.25伏~3.63伏 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 8-VFDFN Exposed Pad | ¥36.76205 |
ISL6596IRZ所属分类：栅极驱动器，ISL6596IRZ 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产，可通过久芯网进行购买。ISL6596IRZ价格参考￥33.751914，你可以下载 ISL6596IRZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询ISL6596IRZ规格参数、现货库存、封装信息等信息！
瑞萨电子 (Renesas)
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器...
