LM5109BSDX器件是一种经济高效的高压栅极驱动器,设计用于以同步降压或半桥配置驱动高侧和低侧N沟道MOSFET。浮动高侧驱动器能够在高达90 V的轨电压下工作。输出由具有成本效益的TTL和CMOS兼容输入阈值独立控制。鲁棒的电平移位技术以高速运行,同时消耗低功率并提供从控制输入逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。低压侧和高压侧电源轨均提供欠压锁定。该器件可用于8引脚SOIC和热增强型8引脚WSON封装。
特色
- 驱动高侧和低侧N沟道MOSFET
- 1-A峰值输出电流(1.0-A漏极和1.0-A源极)
- 输入兼容独立TTL和CMOS
- 自举电源电压至108V DC
- 快速传播时间(典型30 ns)
- 驱动1000 pF负载,上升和下降时间为15 ns
- 出色的传播延迟匹配(典型值为2 ns)
- 供电轨欠压锁定
- 低功耗
- 8引脚SOIC和热增强8引脚WSON封装