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USB50824E3/TR13，带有引脚细节，包括齐纳型，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装一起操作，数据表注释中显示了用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）的包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装以及以太网应用，该设备也可以用作8-SO供应商设备包。此外，单向信道为2，该设备提供24V电压反向间隔类型，该设备的最小电压击穿电压为26.7V，电压钳位最大Ipp为57V，电流峰值脉冲10 1000μs为5A（8/20μs），功率峰值脉冲为500W，电源线保护为否，电容频率为3pF@1MHz。
带有用户指南的USB50824E3/TR7，包括24V电压反向间隔类型，它们设计用于57V电压钳位最大Ipp，电压击穿最小值如数据表注释所示，用于26.7V，提供单向信道功能，如2，类型设计用于齐纳，以及8-SO供应商设备包，该设备也可以用作500W功率峰值脉冲。此外，电源线保护为否，该设备采用胶带和卷筒（TR）替代包装包装，该器件具有8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型为表面安装，电流峰值脉冲1000μs为5A（8/20μs），电容频率为3pF@1MHz，应用为以太网。
带有电路图的USB50824CE3/TR7，包括以太网应用，设计用于2个双向信道，数据表注释中显示了电容频率，用于3pF@1MHz，提供电流峰值脉冲10 1000μs的特性，如5A（8/20μs），安装类型设计用于表面安装，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件还可作为8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装盒使用。此外，该封装盒为磁带和卷轴（TR）替代包装，该设备提供无电源线保护，该设备具有500W的功率峰值脉冲，供应商设备包为8-SO，类型为齐纳，单向信道为，最小电压击穿为26.7V，最大电压钳位Ipp为57V，电压反向间隔类型为24V。
