LM5102SD高压栅极驱动器设计用于以同步降压或半桥配置驱动高侧和低侧N沟道MOSFET。浮动高侧驱动器能够在高达100V的电源电压下工作。输出是独立控制的。每个输出的上升沿可以用编程电阻器独立地延迟。提供集成的高压二极管来对高压侧栅极驱动自举电容器充电。一个健壮的电平转换器以高速运行,同时消耗低功率,并提供从控制逻辑到高端栅极驱动器的干净电平转换。低压侧和高压侧电源轨均提供欠压锁定。该设备可用于标准VSSOP 10引脚和WSON 10引脚封装。
对于所有可用的软件包,请参阅数据表末尾的可订购附录。
特色
- 驱动高侧和低侧N沟道MOSFET
- 独立可编程的高低侧上升沿延迟
- 自举电源电压范围高达118 V dc
- 快速关闭传播延迟(典型值为25 ns)
- 驱动1000 pF负载,上升和下降时间为15 ns
- 供电轨欠压锁定
- 低功耗
- 计时器可以在序列中途终止