LM5104SD高压栅极驱动器设计用于以同步降压配置驱动高侧和低侧N沟道MOSFET。浮动高侧驱动器可以在高达100V的电源电压下工作。高侧和低侧栅极驱动器由单个输入控制。以自适应方式控制状态的每个变化,以防止穿透问题。除了自适应转换定时之外,还可以添加与外部设置电阻器成比例的附加延迟时间。提供集成高压二极管来对高侧栅极驱动自举电容器充电。一个健壮的电平转换器以高速运行,同时消耗低功率,并提供从控制逻辑到高端栅极驱动器的干净电平转换。低压侧和高压侧电源轨均提供欠压锁定。该器件在标准SOIC和WSON封装中可用。
特色
- 驱动高侧和低侧N沟道MOSFET
- 可编程的自适应上升和下降沿
额外延误 - 单输入控制
- 自举电源电压范围高达118V DC
- 快速关断传播延迟(典型值为25 ns)
- 驱动1000 pF负载,上升和下降时间为15 ns
- 供电轨欠压锁定
- SOIC和WSON-10 4-mm×4-mm封装