说明
LM5105SD是一种高压栅极驱动器，设计用于在同步降压或半桥配置中驱动高侧和低侧N沟道MOSFET。浮动高侧驱动器能够在高达100V的轨电压下工作。单个控制输入与TTL信号电平兼容，单个外部电阻器编程开关转换死区时间提供高压二极管来对高压侧栅极驱动自举电容器充电。
强大的电平移位技术在高速运行时消耗低功率，并提供干净的输出转换。当低压侧或自举高压侧电源电压低于工作阈值时，欠电压锁定将禁用栅极驱动器。LM5105SD采用热增强型WSON塑料封装。
特征
·驱动高侧和低侧N沟道MOSFET
·1.8A峰值栅极驱动电流
·引导电源电压范围高达118V DC
·集成自举二极管
·单TTL兼容输入
·可编程开启延迟（停滞时间）
·启用输入引脚
·快速关闭传播延迟（典型26ns）
·驱动器1000pF，上升和下降时间为15ns
·电源轨欠压锁定
·低功耗
典型应用
·固态电机驱动
·半桥和全桥功率转换器
特色
- 驱动高侧和低侧N沟道MOSFET
- 1.8-A峰值栅极驱动电流
- 自举电源电压范围高达118V DC
- 集成自举二极管
- 单TTL兼容输入
- 可编程开启延迟（停滞时间）
- 启用输入引脚
- 快速关断传播延迟（典型26 ns）
- 驱动器1000 pF，上升和下降时间为15 ns
- 供电轨欠压锁定
- 低功耗
- 封装：热增强型10针WSON
（4毫米×4毫米）
（图片：引出线）
