LM5106SD是一种高压栅极驱动器,设计用于以同步降压或半桥配置驱动高侧和低侧N沟道MOSFET。浮动高压侧驱动器能够在高达100V的轨电压下工作。单个控制输入与TTL信号电平兼容,单个外部电阻器通过紧密匹配的导通延迟电路来编程开关转换死区时间。强大的电平转换技术在高速运行的同时消耗低功率,并提供干净的输出转换。当低侧或自举高侧电源电压低于操作阈值时,欠压锁定禁用栅极驱动器。LM5106SD采用VSSOP-10或热增强型10针WSON塑料封装。
特色
- 驱动高端和低端N通道
金属氧化物半导体场效应晶体管 - 1.8-A峰值输出吸收电流
- 1.2-A峰值输出源电流
- 自举电源电压范围高达118V DC
- 单TTL兼容输入
- 可编程开启延迟(停滞时间)
- 启用输入引脚
- 快速关闭传播延迟(典型32 ns)
- 驱动器1000 pF,上升时间15 ns,下降时间10 ns
- 电源轨欠压锁定
- 低功耗
- WSON-10(4 mm×4 mm)和VSSOP-10包装