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LM5106SD

  • 描述:闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 同步的 电源电压: 8V ~ 14V 供应商设备包装: 10-WSON(4x4) 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 德州仪器 (Texas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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  • 单价: ¥19.86003
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥19.86
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规格参数

  • 制造厂商 德州仪器 (Texas)
  • 驱动器数量 two
  • 安装类别 表面安装
  • 输入类别 非反相
  • 驱动器配置 半桥
  • 通道类型 同步的
  • 闸门类型 N通道MOSFET
  • 部件状态 过时的
  • 电源电压 8V ~ 14V
  • 工作温度 -40摄氏度~125摄氏度(TJ)
  • 逻辑电压-VIL、VIH 0.8伏、2.2伏
  • 上升/下降时长(典型值) 15ns, 10ns
  • 高侧最大电压 (自举) 118伏
  • 包装/外壳 10-WDFN外露衬垫
  • 供应商设备包装 10-WSON(4x4)
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) 1.2A、1.8A

LM5106SD 产品详情

LM5106SD是一种高压栅极驱动器,设计用于以同步降压或半桥配置驱动高侧和低侧N沟道MOSFET。浮动高压侧驱动器能够在高达100V的轨电压下工作。单个控制输入与TTL信号电平兼容,单个外部电阻器通过紧密匹配的导通延迟电路来编程开关转换死区时间。强大的电平转换技术在高速运行的同时消耗低功率,并提供干净的输出转换。当低侧或自举高侧电源电压低于操作阈值时,欠压锁定禁用栅极驱动器。LM5106SD采用VSSOP-10或热增强型10针WSON塑料封装。

特色

  • 驱动高端和低端N通道
    金属氧化物半导体场效应晶体管
  • 1.8-A峰值输出吸收电流
  • 1.2-A峰值输出源电流
  • 自举电源电压范围高达118V DC
  • 单TTL兼容输入
  • 可编程开启延迟(停滞时间)
  • 启用输入引脚
  • 快速关闭传播延迟(典型32 ns)
  • 驱动器1000 pF,上升时间15 ns,下降时间10 ns
  • 电源轨欠压锁定
  • 低功耗
  • WSON-10(4 mm×4 mm)和VSSOP-10包装


LM5106SD所属分类:栅极驱动器,LM5106SD 由 德州仪器 (Texas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。LM5106SD价格参考¥19.860032,你可以下载 LM5106SD中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询LM5106SD规格参数、现货库存、封装信息等信息!

德州仪器 (Texas)

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德州仪器公司(TI)是一家开发模拟IC和嵌入式处理器的全球半导体设计和制造公司。通过雇用世界上最聪明的人,TI创造了塑造技术未来的创新。如今,TI正在帮助超过10万名客户改变未来。

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