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LM5107SD

  • 描述:闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 8V ~ 14V 供应商设备包装: 8-WSON (4x4) 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 德州仪器 (Texas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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规格参数

  • 制造厂商 德州仪器 (Texas)
  • 通道类型 独立的
  • 驱动器数量 two
  • 安装类别 表面安装
  • 输入类别 非反相
  • 驱动器配置 半桥
  • 闸门类型 N通道MOSFET
  • 包装/外壳 8-WDFN Exposed Pad
  • 部件状态 过时的
  • 电源电压 8V ~ 14V
  • 工作温度 -40摄氏度~125摄氏度(TJ)
  • 逻辑电压-VIL、VIH 0.8伏、2.2伏
  • 上升/下降时长(典型值) 15ns, 15ns
  • 高侧最大电压 (自举) 118伏
  • 供应商设备包装 8-WSON (4x4)
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) 1.3A、1.4A

LM5107SD 产品详情

LM5107SD是一种低成本高电压栅极驱动器,设计用于以同步降压或半桥配置驱动高侧和低侧N沟道MOSFET。浮动高压侧驱动器能够在高达100-V的轨电压下工作。输出由TTL兼容输入阈值独立控制。提供集成的片上高压二极管来对高侧栅极驱动自举电容器充电。一种鲁棒的电平移位器技术以高速运行,同时消耗低功率,并提供从控制输入逻辑到高端栅极驱动器的干净电平转换。低压侧和高压侧电源轨均提供欠压锁定。该器件可用于SOIC和热增强WSON封装。

特色

  • 驱动高侧和低侧N沟道MOSFET
  • 高峰值输出电流(1.4-A漏极/1.3-A源极)
  • 独立TTL兼容输入
  • 集成自举二极管
  • 引导电源电压至118 V DC
  • 快速传播时间(典型27 ns)
  • 驱动1000 pF负载,上升和下降时间为15 ns
  • 优秀的传播延迟匹配(典型的2-ns)
  • 供电轨欠压锁定
  • 低功耗
  • 引脚与ISL6700兼容
  • 包装:
    • 土壤
    • WSON(4毫米×4毫米)


LM5107SD所属分类:栅极驱动器,LM5107SD 由 德州仪器 (Texas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。LM5107SD价格参考¥26.943588,你可以下载 LM5107SD中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询LM5107SD规格参数、现货库存、封装信息等信息!

德州仪器 (Texas)

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