LM5107SD是一种低成本高电压栅极驱动器,设计用于以同步降压或半桥配置驱动高侧和低侧N沟道MOSFET。浮动高压侧驱动器能够在高达100-V的轨电压下工作。输出由TTL兼容输入阈值独立控制。提供集成的片上高压二极管来对高侧栅极驱动自举电容器充电。一种鲁棒的电平移位器技术以高速运行,同时消耗低功率,并提供从控制输入逻辑到高端栅极驱动器的干净电平转换。低压侧和高压侧电源轨均提供欠压锁定。该器件可用于SOIC和热增强WSON封装。
特色
- 驱动高侧和低侧N沟道MOSFET
- 高峰值输出电流(1.4-A漏极/1.3-A源极)
- 独立TTL兼容输入
- 集成自举二极管
- 引导电源电压至118 V DC
- 快速传播时间(典型27 ns)
- 驱动1000 pF负载,上升和下降时间为15 ns
- 优秀的传播延迟匹配(典型的2-ns)
- 供电轨欠压锁定
- 低功耗
- 引脚与ISL6700兼容
- 包装:
- 土壤
- WSON(4毫米×4毫米)