LTC4449EDCB是一种高频栅极驱动器，设计用于驱动同步DC/DC转换器中的两个N沟道MOSFET。强大的轨对轨驱动器能力降低了具有高栅极电容的MOSFET的开关损耗。
LTC4449EDCB为输入逻辑提供单独的电源，以匹配控制器IC的信号摆动。如果输入信号未被驱动，LTC4449EDCB将激活关闭模式，关闭两个外部MOSFET。输入逻辑信号在内部电平移位至自举电源，其工作电压高达地上42V。
LTC4449EDCB在驱动器和逻辑电源上都包含欠压锁定电路，当出现欠压情况时，这些电路会关闭外部MOSFET。还内置了自适应直通保护功能，以防止MOSFET交叉传导电流造成的功率损失。
LTC4449EDCB提供2mm×3mm DFN封装。
特色
- 4V至6.5V VCC工作电压
- 38V最大输入电源电压
- 自适应穿透保护
- 轨对轨输出驱动器
- 3.2A峰值上拉电流
- 4.5A峰值下拉电流
- 8ns TG上升时间驱动3000pF负载
- 7ns TG下降时间驱动3000pF负载
- 与PWM控制器匹配的单独电源
- 驱动双N沟道MOSFET
- 欠压锁定
- 薄型（0.75mm）2mm×3mm DFN封装
应用
- 分布式电源体系结构
- 高密度电源模块
（图片：引出线）
