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STS9P2UH7带有引脚细节，包括P沟道STripFET系列，它们设计用于卷盘封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SO-8以及Si技术，该器件也可用作1信道数的信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有2.7 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为84.5 ns，上升时间为30.5 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为9 a，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs栅极-源极阈值电压为400mV，Rds导通漏极-电源电阻为22.5mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为128ns，典型接通延迟时间为12.5ns，Qg栅极电荷为22nC，沟道模式为增强。
STSA1805-AP是双极晶体管-BJT功率MOSFET，包括0.016000盎司的单位重量，它们设计为与NPN晶体管极性一起工作，系列如STSA1805中使用的数据表注释所示，提供1.1 W等Pd功率耗散功能，封装设计用于弹药包，以及to-92封装盒，该器件也可以用作通孔安装型，其最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+150℃，该器件最大直流集电极电流为5A，增益带宽积fT为150 MHz，发射极基极电压VEBO为7 V，直流电流增益hFE Max为400，直流集电极基极增益hFE Min为20，并且配置为单，集电极-发射极电压VCEO Max为60V，集电极发射极饱和电压为200mV，集极基极电压VCBO为150V。
STS9NH3LL是由ST制造的MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC。STS9NH1L可提供8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH30V 9A8-SOIC、N沟道30V 9A（Tc）2.5W（Tc。
