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IXDN409YI是集成电路MOSFET DRVR 9A LOSIDE TO263-5,包括低侧型,它们设计用于管式封装,数据表注释中显示了用于表面安装的封装盒,其工作温度范围为10ns、10ns,安装型设计用于-55°C~150°C(TJ),以及to-263-6、D2Pak(5引线+接线片)、to-263BA供应商设备封装,该设备也可以用作1分辨率位。此外,数据接口是单一的,该设备提供非反相电压源模拟,该设备具有数个ADC DAC,Sigma-Delta为4.5V~35V,S/N比ADC DAC db Typ为0.8V、3.5V,动态范围ADC DAC db Typ为9A、9A。
IXDN414CI是IC DRIVER MOSF/IGBT 14A TO-220-5,包括非反相电压源模拟,它们设计用于低侧类型,供应商设备包如数据表注释所示,用于TO-220-55,提供S N比ADC DAC db Typ功能,如0.8V、3.5V,Sigma Delta设计用于4.5V~35V,以及1分辨率位,该装置也可以用作管包装。此外,封装外壳为通孔,其工作温度范围为22ns、20ns,设备具有多个ADC DAC,安装类型为-55°C~150°C(TJ),动态范围ADC DAC db Typ为14A、14A,数据接口为单一。
IXDN414CM,带有IXYS制造的电路图。IXDN414CM在TO-220封装中提供,是IC芯片的一部分。