IXDI509和IXDN509是高速大电流栅极驱动器，专门设计用于将最大的IXYS MOSFET和IGBT驱动到其最小开关时间和最大实际频率极限。IXDI509和IXDN509可以提供和吸收9安培的峰值电流，同时产生小于30ns的电压上升和下降时间。驱动器的输入与TTL或CMOS兼容，并且在整个工作范围内几乎不会发生锁存。专利*设计创新消除了交叉传导和电流“穿透”。匹配的上升和下降时间进一步增强了速度和驱动能力。IXDI509配置为反相栅极驱动器，IXDN509配置为非反相栅极驱动器。
IXDI509和IXDN509分别可用于8引脚PDIP（PI）封装、8引脚SOIC（SIA）封装和6引脚DFN（D1）封装（占8引脚SOI电路板面积的65%以下）。
特征
•利用CMOS和IXYS HDMOSTM工艺的优势和兼容性构建
•闩锁保护高达9安培
•高9A峰值输出电流
•宽工作范围：4.5V至30V
•-55°C至+125°C延长工作温度
•高电容负载驱动能力：1800pF，<15ns
•匹配的上升和下降时间
•低传播延迟时间
•低输出阻抗
•电源电流低
应用
•驱动MOSFET和IGBT
•电机控制
•线路驱动器
•脉冲发生器
•本地电源开/关开关
•开关模式电源（SMPS）
•DC-DC转换器
•脉冲变压器驱动器
•D类开关放大器
•动力充电泵
（图片：引出线）
