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IXFZ520N075T2是MOSFET TrenchT2 HiperFET栅极TrenchT2 MOSFET，包括IXFZ520NO75系列，它们设计用于管式封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供商标特征，如TrenchT2 GigaMOS HiperFET，封装外壳设计用于DE-475-6，以及Si技术，该器件还可以用作600 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，该器件的下降时间为35 ns，上升时间为36 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为465 a，Vds漏极-源极击穿电压为75 V，Vgsth栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-源极电阻为1.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为48ns，Qg栅极电荷为545nC，正向跨导Min为95s，沟道模式为增强。
IXG611S1是IC DRIVER MOSF/IGBT 0.6A 8-SOIC，包括8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）供应商器件封装，它们设计为与散装封装一起工作，封装盒如数据表注释所示，用于表面安装，提供数个ADC DAC功能，如。
IXG611P1是IC DRIVER MOSF/IGBT 0.6A 8DIP，包括数个ADC DAC，它们设计用于通孔封装盒，封装如数据表注释所示，用于管中，提供供应商设备封装功能，如8-DIP（0.300“，7.62mm）。
